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第666章 一波未平一波又起(第1页)

“天机”和“神笔”的复杂度,远超之前的sra和“盘古”芯片。它们集成了数以百万计的晶体管,设计规则更严格,对工艺波动更敏感。尤其是“天机”那动态可重构的阵列和“神笔”那些可编程的渲染单元,其版图密度和互连复杂度,对“麒麟”线这台刚刚学会走路的“机器”来说,是前所未有的挑战。前端的工序相对顺利。虽然数据量巨大,但经过优化后的掩模数据和工艺配方,在光刻、刻蚀等关键步骤上,没有出现灾难性的错误。真正的考验,出现在后端金属互联阶段。“报告,tal3层,a13区域,在线缺陷检测(odi)发现异常,疑似金属线桥接(short)。”工艺工程师的声音带着一丝紧张响起。屏幕立刻切换,放大到a13区域。在高分辨率的检测图像上,两条本应隔开的细密金属线,在某个转弯处,似乎因为刻蚀后的残留物或者化学机械抛光不均,出现了极其微小的连接迹象。“桥接……”冯建国的眉头拧成了疙瘩。金属线桥接意味着短路,是芯片的致命伤。“能定位到具体是哪个模块吗?”“正在对应gds(版图数据)……定位到了,是天机芯片的l2缓存(二级缓存)与总线接口的一个交叉区域。”控制室内的气氛骤然一紧。l2缓存是天机性能的关键,这里出问题,可能导致缓存失效、数据错误,甚至整个芯片无法启动。“先不要慌。”祁同伟的声音依旧平稳,“这种规模的桥接,在odi图像上看很微小,可能只是表面残留,实际电学上未必真短路。冯工,通知线上,对这个批次的晶圆,在tal3刻蚀后,增加一道加强清洗和复查。另外,准备对这个区域做定点切割和电镜复查。”命令迅速下达。生产线调整了流程,增加了额外的清洗步骤。但这会稍微拖慢进度,也增加了晶圆受损的风险。一波未平,一波又起。“神笔项目,via2(第二层通孔)阵列,抽样电测试显示,部分通孔接触电阻异常偏高,超出规格上限30%。”测试工程师报告。通孔接触电阻高,意味着金属层之间连接不良,信号延迟增加,功耗上升,严重时会导致功能错误。“检查通孔刻蚀和填充工艺的均匀性数据。”祁同伟沉声道,“还有,核对一下这个区域的版图设计,通孔密度和周围金属线间距是否符合‘麒麟’线当前工艺能力给出的设计规则(drc)?”设计团队的一名成员立刻调出版图,与最新的工艺设计规则手册进行比对。几分钟后,他脸色有些发白:“祁总,这个区域……我们为了追求布线密度,通孔阵列的间距,用了设计规则允许的最小值。但‘麒麟’线目前对高密度通孔的工艺控制能力,可能比规则手册给出的理论值要弱一些,存在波动……”这是一个典型的设计与工艺协同问题。设计团队在追求性能时,压榨了工艺的极限,而实际生产线的工艺控制精度,没有完全达到设计时的乐观预期。“修改光罩(ask)是来不及了。”祁同伟快速决断,“工艺上,有没有办法通过调整通孔刻蚀的过刻蚀量(overetch)或者后续退火工艺,来改善接触,哪怕牺牲一点点深度?”工艺工程师们紧急讨论。“可以尝试微调刻蚀配方,增加一点各向异性,减少侧壁残留。退火温度也可以稍微提高,促进金属扩散,但要注意不要影响其他器件……”“去做!在后续批次中立刻实施优化。当前这批,标记出接触电阻异常的芯片,后续测试重点关注。”祁同伟拍板。流片过程,就是在不断出现的小问题、小惊吓中,惊心动魄地推进。每一天,控制室里都弥漫着硝烟味。祁同伟如同救火队长,哪里出问题,他的身影和思路就出现在哪里。他需要在对设计的理解、对工艺的认知、以及对风险和进度的权衡中,做出一个个瞬间决策。设计团队和工艺团队,也从最初的有些隔阂,在这一次次共同“灭火”中,迅速拉近了距离,真正开始了“协同”。设计人员开始更深刻地理解“设计规则”背后冰冷的物理现实;工艺人员则开始尝试理解那些复杂结构背后的设计意图,从而更有针对性地调整工艺。一个月后,首批完成全部工序的“天机”和“神笔”晶圆,终于下线,进入封装和最终测试阶段。当第一批封装好的芯片——黑色的方形基板上,承载着那颗凝聚了无数人心血的银色die(裸片)——被装在防静电盒中,送到祁同伟面前时,所有人都屏住了呼吸。祁同伟拿起一枚“天机”芯片,放在掌心。它微微发烫,似乎还残留着封装测试时的余温。指甲盖大小的方寸之间,却蕴含着数百万晶体管构成的、一个名为“天机”的复杂世界。另一只手上,是“神笔”芯片,体积稍大,预示着其内部更庞大的并行规模。没有欢呼,没有激动。只有一种更深沉的、近乎朝圣般的静默。成功了?失败了?这两枚小小的硅片,此刻是世界上最难解的谜题。“上电测试。”祁同伟的声音,终于打破了寂静。专门搭建的测试平台上,工程师用颤抖的手,将“天机”芯片插入测试插座。电源接通,时钟启动,测试程序加载……一秒,两秒,三秒……测试主机的屏幕上,开始滚动启动自检(post)信息。然后,是更底层的硬件寄存器读取……“核心电压……正常!”“锁相环(pll)锁定……成功!”“一级指令缓存、数据缓存自检……通过!”“动态可重构阵列初始化……完成!”:()名义:人在军阁谁敢动我孙儿同伟

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